CST 中如果使用波導端口進行激勵，則在仿真完成后，可以從導航樹 2D/3D Results > Port Modes > Port 1 > e1/h1 中查看到端口處的線阻抗。

首先通過宏命令：Macros > Calculate > Calculate analytic Line Impedance 創(chuàng)建接地共面波導(CPW)，在下圖所示參數(shù)設(shè)置后，點擊 Build 3D 按鈕，會自動創(chuàng)建好接地共面波導 3D 模型。

在 CPW 兩端添加波導端口激勵，并將仿真頻率范圍設(shè)為 0 ~ 10GHz（中心頻率 5GHz）后運行仿真，查看端口模式和端口線阻抗，其線阻抗值為 38.05 Ohm。

將頻率范圍改為 0-30GHz（中心頻率 15GHz）后再仿真，可以觀察到線阻抗值變?yōu)?91.41Ohm。

仔細對比兩個頻率對應(yīng)的端口模式 3D 場型圖，可以發(fā)現(xiàn)隨著頻率范圍的改變，端口處雖然都是 QTEM 模式，但其模式場型已經(jīng)不再相同。只要在傳輸線的橫截面上存在兩種或兩種以上不同2 CST - 常見問題解答 FAQs屬性的材料，此傳輸線就必定色散。簡而言之，在這種情況下，同一模式的阻抗會隨著頻率的變化而變化。此類傳輸線稱為非均勻傳輸線 (inhomogeneous transmission line)。

為了觀察模式場型和端口線阻抗與頻率之間的對應(yīng)關(guān)系，下面分別給出了中心頻率為 5GHz、8GHz、12GHz、15GHz 處的端口電場模式圖。

① 中心頻率 5GHz：線阻抗 38.05 Ohm：

② 中心頻率 8GHz：線阻抗 40.04 Ohm：

③ 中心頻率 12GHz：線阻抗 60.44 Ohm：

④ 中心頻率 15GHz：線阻抗 91.41 Ohm：

通過觀察可以發(fā)現(xiàn)隨著中心頻率逐漸變大，QTEM 模式的場型也隨之漸變，從 8GHz 左右，傳輸線的色散特性開始顯現(xiàn)，整個場型開始逐漸變化，端口線阻抗也開始非線性增大。對比中心頻率為 5GHz 和 15GHz 的端口模式場型圖，即可發(fā)現(xiàn)雖然端口模式的類型沒有變化，但是場型已經(jīng)發(fā)生了改變，所以端口線阻抗也隨之改變。

如果端口處的傳輸線是色散的，且仿真帶寬較大的話，建議作如下設(shè)置：在功能區(qū)的Simulation 選項卡下，點擊 T-Solver 圖標，進入時域求解器設(shè)置對話框，勾選上紅框顯示部分，啟用非均勻端口精度增強；然后點擊 Specials 按鈕，切換到 Waveguide 選項卡，確認 Number of frequency samples 設(shè)置為 20。此時 CST 仿真會在整個頻段根據(jù)設(shè)置的采樣頻點（此處設(shè)置為 20個）對每個頻點的端口阻抗進行匹配，從而為之后的 S 參數(shù)等計算進行歸一化。設(shè)置完成后點擊時域求解器窗口中的 Start 按鈕即可開始仿真。

仿真完成后，在導航樹中選擇 1D Results > Port Information > Line Impedance，即可查看端口線阻抗值關(guān)于頻率變化的曲線圖，從圖中可以找到前述驗證的中心頻率分別在 5GHz、8GHz、12GHz和 15GHz 的端口線阻抗值。